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SI4688DY-T1-GE3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4688DY-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1580pF @ 15V 功率 - 最大值：1.4W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形DJT14E23-53PB 圆形DJT14E23-21JN 圆形DJT14E25-19HN Card EdgeEMM12DTKH-S288 芯片电阻 - 表面RL0510S-1R8-F 芯片电阻 - 表面MCR18EZHF1304 DC DC ConVI-2T1-EV-F4 圆形CB3106A-22-8S 功率，高于 2 安KUP-11A15-120 PMIC - 稳压TPS54611PWPG4 |
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